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瑞芯微推出全新通用快充协议芯片RK835及RK837

作者: 编辑: 来源: 发布日期: 2021.05.17
信息摘要:
继VOOC闪充协议芯片之后,瑞芯微近日推出了两颗全新的通用快充协议芯片,分别是RK835和RK837...

继VOOC闪充协议芯片之后,瑞芯微近日推出了两颗全新的通用快充协议芯片,分别是RK835和RK837。

 

 

RK835 通用快充协议芯片


瑞芯微RK835是通过了PD2.0/PD3.0/PPS认证的PD3.0协议芯片,TID:4325。用于电源角色的USB Type-C和PD物理层,并且支持E-Marker线缆供电,在超低功耗模式下,芯片耗电量低于10μA。RK835内部集成Arm Cortex-M0内核,60K Flash和1K RAM来实现PD和其他专有协议,可支持10万次以上的重复烧录。RK835具备以下特性:

 


  • 内部集成的ADC可以连续地检测电压,电流,温度和通过GPIO引脚反馈的系统参数

  • 所有的GPIO均可配置成边缘触发中断,DP/DM引脚可配置UART模式和BC1.2模式

  • 支持I2C接口和主从模式,内部集成了输出放电功能

  • DP/DM/CC1/CC2引脚均支持24V耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,并内置了过流、过压和过热保护

 


< 图为RK835+AC-DC典型应用电路 >

 

RK835支持18到100W输出,支持光耦反馈和PI带I2C接口的电源IC,采用QFN3*3-16封装。

 

RK837 通用快充协议芯片:支持恒压恒流


瑞芯微RK837是通过了PD2.0/PD3.0/PPS认证的PD3.0协议芯片,TID:5141。同时,也通过高通QC4+认证,证书编号20210303222。RK837内部集成ARM Cortex-M0内核,64K Flash和2K RAM来实现PD和其他专有协议,可以支持10万次以上的重复烧录。具备以下特性:



  • 支持USB Type-C和Type-A双接口,支持I2C接口

  • 集成NMOS驱动,VBUS开关管可使用低成本性能好的NMOS,内部集成快速放电电路

  • 内部集成高精度ADC,可实现3-22V以10mV精度输出,使用5mΩ取样电阻,可实现0.1-12A以12mA精度恒流

  • DP/DM/CC1/CC2引脚均支持26V耐压,可有效防止损坏的数据线造成产品损坏,芯片还内置了过流、过压和过热保护

 


< 图为RK837应用电路,支持1A1C输出,

采用QFN4*4-24封装>

 

瑞芯微的两款通用快充协议芯片,均采用了Arm Cortex-M0核心和大容量Flash,可以支持10万次以上的重复烧录,方便客户根据产品更换协议;均具备数字I2C接口,支持丰富的主流快充协议,能够快速便捷的与各类电源芯片对接。同时具备完善的保护功能,引脚支持过压保护,芯片内部支持完善的保护功能,可实现简单可靠的适配器设计。

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